三星电子拟为平泽半导体工厂追加投资10万亿韩元

    在华韩企招聘网报道，三星电子决定对平泽尖端半导体工厂建厂项目追加投资至少10万亿韩元（约合人民币571.3亿元），至此，总投资额将超过25万亿韩元（约合人民币1428亿元）。三星电子计划在新工厂集中批量生产10纳米动态随机存取内存（D-RAM），实行“扩大差距”战略，防止从技术或产量方面被赶超。

    据在华韩企招聘网悉，三星集团计划于今年5月7日在平泽古德工业园区举行半导体工厂开工仪式。此次投资系历史最大规模，届时，包括三星电子在内，三星集团主要经营高管和政界重要人士将大举出席。

    投资规模将增加10万亿韩元以上。三星电子本计划截至2017年底投资15.6万亿韩元，先行建立一条半导体生产线，后来决定在设备投资和生产线增设投资上追加10万亿韩元，总投资达到25万亿韩元以上。

    如果2017年底平泽新生产线启动，三星电子将构建由“器兴-华城-平泽”工厂组成的全球最大规模半导体集群。

    生产结构也已确定。系统半导体由器兴和美国奥斯丁工厂生产；存储芯片中的闪存由华城和西安工厂分别负责；D-RAM则由华城工厂和新建的平泽工厂生产。

    值得一提的是，平泽工厂还会根据情况一并生产移动处理器（AP）。即将竣工的华城工厂第17生产线虽然被定为用于生产系统芯片，但实际上目前正在生产D-RAM。

    已经跃升为D-RAM市场绝对霸主的三星电子将平泽工厂作为尖端D-RAM集中生产基地，目的在于欲彻底压制竞争对手。就目前情况来看，在全球D-RAM市场，三星电子市场占有率为40.4%（2014年基准），其次为SK海力士和美国镁光。

    在竞争公司尚未缩短技术差距的情况下，若三星在2017年之后推出10纳米最新产品，这种“一家独大”的局面只会更加稳固。纳米单位代表半导体回路的线宽度，数字越小，速度与生产率越高。

    根据在华韩企招聘网了解到电子业相关人士表示：“竞争公司至今尚未能造出三星去年3月份开始批量生产的20纳米D-RAM。如果三星以尖端技术为基础大量扩充产量，那么竞争企业生产的25纳米产品的市价将大幅下跌。”