SK 海力士今年计划量产第二代高带宽内存（HBM2）

    在华韩国企业招聘网获悉，随着新一代显卡到来，内存芯片制造商SKHynix希望成为显卡革命的一部分。据德国IT网站Golem.de报道，SK Hynix计划不久将开始生产第二代高带宽内存（HBM2），其中，4GB SK Hynix芯片显然预计在今年第三季度出货，8GB芯片将在今年第四季度上市。

　　OFweek电子工程网讯 随着新一代显卡到来，内存芯片制造商SKHynix希望成为显卡革命的一部分。据德国IT网站Golem.de报道，SK Hynix计划不久将开始生产第二代高带宽内存（HBM2），其中，4GB SK Hynix芯片显然预计在今年第三季度出货，8GB芯片将在今年第四季度上市。
　　通过这一举措，SK Hynix将成为三星竞争者。三星之前已经宣布其HBM2内存生产计划。标准组织JEDEC之前已经更新HBM2规范。 HBM2总线位宽和HBM相同，但具有更高的时钟频率和容量，时钟频率从1GHz起跳，到2GHz，数据带宽可达256GB/s，是之前HBM带宽的两倍。
    SK海力士希望成显卡革新一部分 今年开始量产HBM2内存
　　Golem.de报道，SK Hynix也有推出HBM2廉价版计划，廉价版带宽是204GB/s，这些廉价版HBM2芯片可能被用于未来中端到低端显卡，或用于完全不同的应用领域。该网站称，SK Hynix拒绝说明这些芯片是否用于GPU、SoC、CPU或其他应用。